на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 637.89 грн |
| 10+ | 534.25 грн |
| 30+ | 391.91 грн |
| 120+ | 350.81 грн |
| 270+ | 347.14 грн |
| 510+ | 325.12 грн |
| 1020+ | 307.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TRS20N65FB,S1Q Toshiba
Description: DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A (DC), Supplier Device Package: TO-247, Operating Temperature - Junction: 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V.
Інші пропозиції TRS20N65FB,S1Q за ціною від 307.60 грн до 644.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TRS20N65FB,S1Q | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-247Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A (DC) Supplier Device Package: TO-247 Operating Temperature - Junction: 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
TRS20N65FB,S1Q | Виробник : Toshiba |
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
TRS20N65FB,S1Q | Виробник : Toshiba |
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |