TRS24N65FB,S1Q Toshiba
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 677.20 грн |
| 10+ | 615.91 грн |
| 30+ | 468.63 грн |
| 120+ | 360.48 грн |
| 270+ | 359.75 грн |
| 510+ | 359.01 грн |
| 1020+ | 358.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TRS24N65FB,S1Q Toshiba
Description: DIODE ARRAY SIC 650V 12A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 12A (DC), Supplier Device Package: TO-247, Operating Temperature - Junction: 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 12 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V.
Інші пропозиції TRS24N65FB,S1Q за ціною від 688.38 грн до 688.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TRS24N65FB,S1Q | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: DIODE ARRAY SIC 650V 12A TO-247Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 12A (DC) Supplier Device Package: TO-247 Operating Temperature - Junction: 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|