TRS24N65FB,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY SIC 650V 12A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 12A (DC)
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 758.95 грн |
| 30+ | 433.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TRS24N65FB,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY SIC 650V 12A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 12A (DC), Supplier Device Package: TO-247, Operating Temperature - Junction: 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 12 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V.
Інші пропозиції TRS24N65FB,S1Q за ціною від 362.93 грн до 596.90 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TRS24N65FB,S1Q | Toshiba |
TRS24N65FB,S1Q |
на замовлення 110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| TRS24N65FB,S1Q |
|
Виробник: Toshiba
TRS24N65FB,S1Q
TRS24N65FB,S1Q
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 596.90 грн |
| 10+ | 533.95 грн |
| 25+ | 528.62 грн |
| 50+ | 508.02 грн |
| 100+ | 362.93 грн |