TRS2E65F,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SIL CARB 650V 2A TO220-2L
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 2 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-220-2L
Current - Average Rectified (Io): 2A
Capacitance @ Vr, F: 8.7pF @ 650V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 129.31 грн |
| 50+ | 59.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TRS2E65F,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SIL CARB 650V 2A TO220-2L, Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 2 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Operating Temperature - Junction: 175°C (Max), Supplier Device Package: TO-220-2L, Current - Average Rectified (Io): 2A, Capacitance @ Vr, F: 8.7pF @ 650V, 1MHz, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-2, Packaging: Tube.
Інші пропозиції TRS2E65F,S1Q
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TRS2E65F,S1Q | Toshiba |
SiC Schottky Diodes DIODE |
на замовлення 379 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| TRS2E65F,S1Q |
|
Виробник: Toshiba
SiC Schottky Diodes DIODE
SiC Schottky Diodes DIODE
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)