| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 91.89 грн |
| 10+ | 68.50 грн |
| 100+ | 40.02 грн |
| 500+ | 33.19 грн |
| 1000+ | 27.08 грн |
| 5000+ | 26.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TRS2E65F,S1Q Toshiba
Description: DIODE SIL CARB 650V 2A TO220-2L, Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 2 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Operating Temperature - Junction: 175°C (Max), Supplier Device Package: TO-220-2L, Current - Average Rectified (Io): 2A, Capacitance @ Vr, F: 8.7pF @ 650V, 1MHz, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-2, Packaging: Tube.
Інші пропозиції TRS2E65F,S1Q за ціною від 61.35 грн до 132.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TRS2E65F,S1Q | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: DIODE SIL CARB 650V 2A TO220-2LCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 2 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Supplier Device Package: TO-220-2L Current - Average Rectified (Io): 2A Capacitance @ Vr, F: 8.7pF @ 650V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Packaging: Tube |
на замовлення 59 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|