Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TRS2E65H,S1Q

TRS2E65H,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage

TRS2E65H_datasheet_en_20230411.pdf?did=152099&prodName=TRS2E65H Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: G3 SIC-SBD 650V 2A TO-220-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 135pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+153.22 грн
10+94.57 грн
100+64.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TRS2E65H,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage

Description: G3 SIC-SBD 650V 2A TO-220-2L, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 135pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 2A, Supplier Device Package: TO-220-2L, Operating Temperature - Junction: 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V.

Інші пропозиції TRS2E65H,S1Q

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TRS2E65H,S1Q TRS2E65H,S1Q Виробник : Toshiba datasheet_en_20230411-3223155.pdf SiC Schottky Diodes G3 SiC-SBD 650V 2A TO-220-2L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.