TRS30H120H,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: 1200 V/30 A SIC SCHOTTKY BARRIER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 3205pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 83A
Supplier Device Package: TO-247-2L
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 µA @ 1200 V
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1075.14 грн |
| 30+ | 637.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TRS30H120H,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 1200 V/30 A SIC SCHOTTKY BARRIER, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 3205pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 83A, Supplier Device Package: TO-247-2L, Operating Temperature - Junction: 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 30 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції TRS30H120H,S1Q за ціною від 620.92 грн до 1151.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TRS30H120H,S1Q | Виробник : Toshiba |
SiC Schottky Diodes RECTIFIER 1.2KV 30A SIC |
на замовлення 70 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|