TRS30N120HB,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 1200V30A SIC SCHOTTKY BARR DIODE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 41A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1029.90 грн |
| 30+ | 610.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TRS30N120HB,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 1200V30A SIC SCHOTTKY BARR DIODE, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 41A, Supplier Device Package: TO-247, Operating Temperature - Junction: 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 15 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції TRS30N120HB,S1Q
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TRS30N120HB,S1Q | Toshiba |
SiC Schottky Diodes 1200 V/30 A SiC Schottky Barrier Diode, TO-247 |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| TRS30N120HB,S1Q |
|
Виробник: Toshiba
SiC Schottky Diodes 1200 V/30 A SiC Schottky Barrier Diode, TO-247
SiC Schottky Diodes 1200 V/30 A SiC Schottky Barrier Diode, TO-247
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)