| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 169.84 грн |
| 10+ | 151.24 грн |
| 100+ | 104.79 грн |
| 500+ | 86.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TRS3E65F,S1Q Toshiba
Description: DIODE SIL CARB 650V 3A TO220-2L, Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 3 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Operating Temperature - Junction: 175°C (Max), Supplier Device Package: TO-220-2L, Current - Average Rectified (Io): 3A, Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 650V, 1MHz, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-2, Packaging: Tube.
Інші пропозиції TRS3E65F,S1Q
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TRS3E65F,S1Q | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: DIODE SIL CARB 650V 3A TO220-2LCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 3 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Supplier Device Package: TO-220-2L Current - Average Rectified (Io): 3A Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 650V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Packaging: Tube |
товару немає в наявності |