Технічний опис TRS3E65F,S1Q Toshiba
Description: DIODE SIL CARB 650V 3A TO220-2L, Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 3 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Operating Temperature - Junction: 175°C (Max), Supplier Device Package: TO-220-2L, Current - Average Rectified (Io): 3A, Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 650V, 1MHz, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-2, Packaging: Tube.
Інші пропозиції TRS3E65F,S1Q
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TRS3E65F,S1Q | Toshiba |
 Schottky Diodes & Rectifiers DIODE |
на замовлення 81 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
TRS3E65F,S1Q | Toshiba |
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 3A 2-Pin TO-220 Tube |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. |
| TRS3E65F,S1Q |
|
Виробник: Toshiba
Schottky Diodes & Rectifiers DIODE
Schottky Diodes & Rectifiers DIODE
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| TRS3E65F,S1Q |
|
Виробник: Toshiba
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 3A 2-Pin TO-220 Tube
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 3A 2-Pin TO-220 Tube
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)