TRS40H120H,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 1200 V/40 A SIC SCHOTTKY BARRIER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 4368pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 102A
Supplier Device Package: TO-247-2L
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 1.2 kV
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1257.74 грн |
| 30+ | 758.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TRS40H120H,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 1200 V/40 A SIC SCHOTTKY BARRIER, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 4368pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 102A, Supplier Device Package: TO-247-2L, Operating Temperature - Junction: 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 40 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 1.2 kV.
Інші пропозиції TRS40H120H,S1Q
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TRS40H120H,S1Q | Toshiba |
SiC Schottky Diodes SiC Schottky barrier diode;TO-247-2L; Vrrm=1200V; IF=40A; PD=454W |
на замовлення 58 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| TRS40H120H,S1Q |
|
Виробник: Toshiba
SiC Schottky Diodes SiC Schottky barrier diode;TO-247-2L; Vrrm=1200V; IF=40A; PD=454W
SiC Schottky Diodes SiC Schottky barrier diode;TO-247-2L; Vrrm=1200V; IF=40A; PD=454W
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)