TRS40N120HB,S1Q Toshiba
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1369.02 грн |
| 10+ | 968.60 грн |
| 100+ | 739.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TRS40N120HB,S1Q Toshiba
Description: 1200V40A SIC SCHOTTKY BARRIER DI, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 51A, Supplier Device Package: TO-247, Operating Temperature - Junction: 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 130 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції TRS40N120HB,S1Q за ціною від 847.62 грн до 1405.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TRS40N120HB,S1Q | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: 1200V40A SIC SCHOTTKY BARRIER DIPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 51A Supplier Device Package: TO-247 Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 130 µA @ 1200 V |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|