на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 66.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TRS4E65F,S1Q Toshiba
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220-2L, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 650V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 4A, Supplier Device Package: TO-220-2L, Operating Temperature - Junction: 175°C (Max), Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V.
Інші пропозиції TRS4E65F,S1Q за ціною від 63.64 грн до 156.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TRS4E65F,S1Q | Виробник : Toshiba |
 Schottky Diodes & Rectifiers DIODE |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
TRS4E65F,S1Q | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220-2L Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 650V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: TO-220-2L Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V |
на замовлення 26 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
TRS4E65F,S1Q | Виробник : Toshiba |
Diode Schottky SiC 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
TRS4E65F,S1Q | Виробник : Toshiba |
Diode Schottky SiC 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |