Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TRS4E65F,S1Q Toshiba
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220-2L, Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 4 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Operating Temperature - Junction: 175°C (Max), Supplier Device Package: TO-220-2L, Current - Average Rectified (Io): 4A, Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 650V, 1MHz, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-2, Packaging: Tube.
Інші пропозиції TRS4E65F,S1Q
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
TRS4E65F,S1Q | Toshiba |
 Diode Schottky SiC 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 7 шт В кошику од. на суму грн. |
| TRS4E65F,S1Q |
|
Виробник: Toshiba
Diode Schottky SiC 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
Diode Schottky SiC 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)