Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TRS4V65H,LQ
TRS4V65H,LQ

TRS4V65H,LQ Toshiba Semiconductor and Storage

TRS4V65H_datasheet_en_20230621.pdf?did=152109&prodName=TRS4V65H Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: G3 SIC-SBD 650V 4A DFN8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 263pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.34 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 650 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+57.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TRS4V65H,LQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: G3 SIC-SBD 650V 4A DFN8X8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 263pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 4A, Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8), Operating Temperature - Junction: 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.34 V @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 650 V.

Інші пропозиції TRS4V65H,LQ за ціною від 56.38 грн до 190.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TRS4V65H,LQ TRS4V65H,LQ Виробник : Toshiba TRS4V65H_datasheet_en_20230621-3223169.pdf Schottky Diodes & Rectifiers G3 SiC-SBD 650V 4A DFN8x8
на замовлення 4921 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+147.27 грн
10+120.69 грн
100+84.40 грн
2500+71.70 грн
10000+70.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TRS4V65H,LQ TRS4V65H,LQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TRS4V65H_datasheet_en_20230621.pdf?did=152109&prodName=TRS4V65H Description: G3 SIC-SBD 650V 4A DFN8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 263pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.34 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 650 V
на замовлення 4728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+190.53 грн
10+118.04 грн
100+81.01 грн
500+61.16 грн
1000+56.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.