на замовлення 4921 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 137 грн |
| 10+ | 112.27 грн |
| 100+ | 78.51 грн |
| 2500+ | 66.7 грн |
| 10000+ | 65.4 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TRS4V65H,LQ Toshiba
Description: G3 SIC-SBD 650V 4A DFN8X8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 263pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 4A, Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8), Operating Temperature - Junction: 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.34 V @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 650 V.
Інші пропозиції TRS4V65H,LQ за ціною від 52.41 грн до 121.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TRS4V65H,LQ | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: G3 SIC-SBD 650V 4A DFN8X8Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 263pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8) Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.34 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 650 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| TRS4V65H,LQ | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: G3 SIC-SBD 650V 4A DFN8X8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 263pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8) Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.34 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 650 V |
на замовлення 4833 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|