TRS6E65F,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO220-2L
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-220-2L
Current - Average Rectified (Io): 6A
Capacitance @ Vr, F: 22pF @ 650V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TRS6E65F,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO220-2L, Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 6 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Operating Temperature - Junction: 175°C (Max), Supplier Device Package: TO-220-2L, Current - Average Rectified (Io): 6A, Capacitance @ Vr, F: 22pF @ 650V, 1MHz, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-2, Packaging: Tube.
Інші пропозиції TRS6E65F,S1Q
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TRS6E65F,S1Q | Toshiba |
SiC Schottky Diodes V=650 IF=6A |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| TRS6E65F,S1Q | Toshiba |
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 6A 2-Pin TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| TRS6E65F,S1Q |
|
Виробник: Toshiba
SiC Schottky Diodes V=650 IF=6A
SiC Schottky Diodes V=650 IF=6A
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TRS6E65F,S1Q |
|
Виробник: Toshiba
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 6A 2-Pin TO-220 Tube
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 6A 2-Pin TO-220 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику
од. на суму грн.