TRS8E65H,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 520pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 650 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 261.08 грн |
| 50+ | 119.61 грн |
| 100+ | 114.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TRS8E65H,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO220L, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 520pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-220-2L, Operating Temperature - Junction: 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 650 V.
Інші пропозиції TRS8E65H,S1Q за ціною від 99.86 грн до 319.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TRS8E65H,S1Q | Toshiba |
SiC Schottky Diodes G3 SiC-SBD 650V 8A TO-220-2L |
на замовлення 31 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| TRS8E65H,S1Q |
|
Виробник: Toshiba
SiC Schottky Diodes G3 SiC-SBD 650V 8A TO-220-2L
SiC Schottky Diodes G3 SiC-SBD 650V 8A TO-220-2L
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 319.16 грн |
| 10+ | 160.94 грн |
| 100+ | 126.59 грн |
| 500+ | 99.86 грн |