на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 86+ | 145.82 грн |
| 99+ | 126.30 грн |
| 100+ | 124.98 грн |
| 107+ | 112.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TRS8E65H,S1Q Toshiba
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO220L, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 520pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-220-2L, Operating Temperature - Junction: 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 650 V.
Інші пропозиції TRS8E65H,S1Q за ціною від 103.34 грн до 284.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TRS8E65H,S1Q | Виробник : Toshiba |
 Diode Schottky SiC 650V 23A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Stick |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
TRS8E65H,S1Q | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO220L Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 520pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-220-2L Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 650 V |
на замовлення 338 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
TRS8E65H,S1Q | Виробник : Toshiba |
SiC Schottky Diodes G3 SiC-SBD 650V 8A TO-220-2L |
на замовлення 361 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|