TRS8V65H,LQ

TRS8V65H,LQ Toshiba Semiconductor and Storage


TRS8V65H_datasheet_en_20230410.pdf?did=152125&prodName=TRS8V65H
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A 4DFNEP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 520pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 650 V
на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+240.51 грн
10+153.90 грн
100+115.35 грн
500+88.26 грн
1000+81.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TRS8V65H,LQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A 4DFNEP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 520pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8), Operating Temperature - Junction: 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 650 V.

Інші пропозиції TRS8V65H,LQ за ціною від 100.57 грн до 319.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TRS8V65H,LQ TRS8V65H,LQ Toshiba datasheet_en_20230410.pdf SiC Schottky Diodes G3 SiC-SBD 650V 8A DFN8x8
на замовлення 2275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+319.98 грн
10+207.85 грн
100+127.29 грн
500+108.30 грн
1000+104.79 грн
2500+100.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TRS8V65H,LQ datasheet_en_20230410.pdf
TRS8V65H,LQ
Виробник: Toshiba
SiC Schottky Diodes G3 SiC-SBD 650V 8A DFN8x8
на замовлення 2275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+319.98 грн
10+207.85 грн
100+127.29 грн
500+108.30 грн
1000+104.79 грн
2500+100.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.