на замовлення 2410 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 236.04 грн |
| 10+ | 150.88 грн |
| 100+ | 114.63 грн |
| 500+ | 95.98 грн |
| 1000+ | 93.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TRS8V65H,LQ Toshiba
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A 4DFNEP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 520pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8), Operating Temperature - Junction: 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 650 V.
Інші пропозиції TRS8V65H,LQ за ціною від 80.36 грн до 236.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TRS8V65H,LQ | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A 4DFNEPPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 520pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8) Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 650 V |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
TRS8V65H,LQ | Виробник : Toshiba |
Diode Schottky SiC 650V 23A 4-Pin DFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
TRS8V65H,LQ | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A 4DFNEP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 520pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8) Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 650 V |
товару немає в наявності |