Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції TTA0002(Q) за ціною від 142.76 грн до 317.90 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
TTA0002(Q) | TOSHIBA |
Category: PNP THT transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 160V; 18A; 180W; TO3PL Frequency: 30MHz Type of transistor: PNP Mounting: THT Case: TO3PL Collector current: 18A Current gain: 80...160 Collector-emitter voltage: 160V Power dissipation: 180W Polarisation: bipolar |
на замовлення 120 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||
|
TTA0002(Q) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PNP 160V 18A TO-3PCurrent - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 900mA, 9A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-3PL Packaging: Bulk Power - Max: 180 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Current - Collector (Ic) (Max): 18 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-3P(L) Frequency - Transition: 30MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V |
на замовлення 352 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
TTA0002(Q) | Toshiba |
Bipolar Transistors - BJT BJT PNP -18A 180W 80 HFE -2V Trans |
на замовлення 283 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| TTA0002(Q) |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 160V; 18A; 180W; TO3PL
Frequency: 30MHz
Type of transistor: PNP
Mounting: THT
Case: TO3PL
Collector current: 18A
Current gain: 80...160
Collector-emitter voltage: 160V
Power dissipation: 180W
Polarisation: bipolar
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 160V; 18A; 180W; TO3PL
Frequency: 30MHz
Type of transistor: PNP
Mounting: THT
Case: TO3PL
Collector current: 18A
Current gain: 80...160
Collector-emitter voltage: 160V
Power dissipation: 180W
Polarisation: bipolar
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 265.19 грн |
| 10+ | 163.07 грн |
| 100+ | 150.72 грн |
| TTA0002(Q) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 160V 18A TO-3P
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 900mA, 9A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3PL
Packaging: Bulk
Power - Max: 180 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Current - Collector (Ic) (Max): 18 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3P(L)
Frequency - Transition: 30MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V
Description: TRANS PNP 160V 18A TO-3P
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 900mA, 9A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3PL
Packaging: Bulk
Power - Max: 180 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Current - Collector (Ic) (Max): 18 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3P(L)
Frequency - Transition: 30MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V
на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 317.90 грн |
| 10+ | 201.76 грн |
| 100+ | 142.76 грн |
| TTA0002(Q) |
![]() |
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT BJT PNP -18A 180W 80 HFE -2V Trans
Bipolar Transistors - BJT BJT PNP -18A 180W 80 HFE -2V Trans
на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)





