TTA0002(Q) Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 160V 18A TO3P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3PL
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 900mA, 9A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3P(L)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 18 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 180 W
Description: TRANS PNP 160V 18A TO3P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3PL
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 900mA, 9A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3P(L)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 18 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 180 W
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 220.26 грн |
10+ | 178.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TTA0002(Q) Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 160V 18A TO3P, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-3PL, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 900mA, 9A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V, Frequency - Transition: 30MHz, Supplier Device Package: TO-3P(L), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 18 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V, Power - Max: 180 W.
Інші пропозиції TTA0002(Q) за ціною від 116.16 грн до 274.11 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
TTA0002(Q) | Виробник : TOSHIBA |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 160V; 18A; 180W; TO3PL Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 18A Power dissipation: 180W Case: TO3PL Current gain: 80...160 Mounting: THT Frequency: 30MHz |
на замовлення 704 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
TTA0002(Q) | Виробник : Toshiba | Bipolar Transistors - BJT BJT PNP -18A 180W 80 HFE -2V Trans |
на замовлення 411 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
TTA0002(Q) | Виробник : TOSHIBA |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 160V; 18A; 180W; TO3PL Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 18A Power dissipation: 180W Case: TO3PL Current gain: 80...160 Mounting: THT Frequency: 30MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 704 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
TTA0002(Q) Код товару: 174076 |
Мікросхеми > Інші мікросхеми |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
TTA0002(Q) | Виробник : Toshiba | Trans GP BJT PNP 160V 18A 180000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PL |
товар відсутній |