TTA003,L1NQ(O Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 80V 3A PW-MOLD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: PW-MOLD
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 10 W
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 76.97 грн |
| 10+ | 46.33 грн |
| 100+ | 30.33 грн |
| 500+ | 22.00 грн |
| 1000+ | 19.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TTA003,L1NQ(O Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 80V 3A PW-MOLD, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: PW-MOLD, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 10 W.
Інші пропозиції TTA003,L1NQ(O
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TTA003,L1NQ(O | Toshiba |
Bipolar Transistors - BJT PNP -80V 10W 100MHz 200 hFE |
на замовлення 1988 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| TTA003,L1NQ(O |
|
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT PNP -80V 10W 100MHz 200 hFE
Bipolar Transistors - BJT PNP -80V 10W 100MHz 200 hFE
на замовлення 1988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)