TTA006B,Q Toshiba
на замовлення 3481 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 71.93 грн |
| 12+ | 31.72 грн |
| 100+ | 27.43 грн |
| 250+ | 25.11 грн |
| 500+ | 22.56 грн |
| 1000+ | 20.40 грн |
| 2500+ | 18.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TTA006B,Q Toshiba
Description: TRANS PNP 230V 1A TO-126N, Packaging: Tray, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V, Frequency - Transition: 70MHz, Supplier Device Package: TO-126N, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V, Power - Max: 1.5 W.
Інші пропозиції TTA006B,Q
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
TTA006B,Q Код товару: 174077
Додати до обраних
Обраний товар
|
 |
товару немає в наявності
|
|||
 |
TTA006B,Q | Виробник : Toshiba |
Trans GP BJT PNP 230V 1A 10000mW 3-Pin TO-126N Sack |
товару немає в наявності |
|
 |
TTA006B,Q | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PNP 230V 1A TO-126N Packaging: Tray Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 70MHz Supplier Device Package: TO-126N Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V Power - Max: 1.5 W |
товару немає в наявності |