| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 185.33 грн |
| 10+ | 165.68 грн |
| 50+ | 134.63 грн |
| 100+ | 119.10 грн |
| 500+ | 102.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TTA1452B,S4X Toshiba
Description: TRANS PNP 80V 12A TO220SIS, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 6A, Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 1V, Frequency - Transition: 50MHz, Supplier Device Package: TO-220SIS, Current - Collector (Ic) (Max): 12 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 2 W.
Інші пропозиції TTA1452B,S4X за ціною від 116.59 грн до 187.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
TTA1452B,S4X | Toshiba |
Trans GP BJT PNP 80V 12A 2000mW 3-Pin |
на замовлення 4250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
TTA1452B,S4X | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PNP 80V 12A TO220SISPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-220SIS Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 64 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
TTA1452B,S4X | Toshiba |
Bipolar Transistors - BJT Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS 00 PD=30W F=1MHZ |
на замовлення 3493 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| TTA1452B,S4X |
![]() |
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT PNP 80V 12A 2000mW 3-Pin
Trans GP BJT PNP 80V 12A 2000mW 3-Pin
на замовлення 4250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 76+ | 185.33 грн |
| TTA1452B,S4X |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 80V 12A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-220SIS
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
Description: TRANS PNP 80V 12A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-220SIS
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 187.81 грн |
| 10+ | 116.59 грн |
| TTA1452B,S4X |
![]() |
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS 00 PD=30W F=1MHZ
Bipolar Transistors - BJT Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS 00 PD=30W F=1MHZ
на замовлення 3493 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)





