TTC012(Q)

TTC012(Q) Toshiba


TTC012_datasheet_en_20160122-1133743.pdf
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT NPN PWR Amp Trans 2A IC 3A ICP 800V
на замовлення 395 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.27 грн
10+58.88 грн
100+39.87 грн
200+38.75 грн
600+32.70 грн
1000+27.50 грн
2600+25.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TTC012(Q) Toshiba

Description: TRANS NPN 375V 2A PW-MOLD2, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Packaging: Bulk, Power - Max: 1.1 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 375 V, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: PW-MOLD2, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 300mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 62.5mA, 500mA.

Інші пропозиції TTC012(Q)

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TTC012(Q) TTC012(Q) Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TTC008_TTC012_Overview.pdf Description: TRANS NPN 375V 2A PW-MOLD2
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Bulk
Power - Max: 1.1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 375 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PW-MOLD2
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 300mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 62.5mA, 500mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.