Продукція > TOSHIBA > TTC012(Q)
TTC012(Q)

TTC012(Q) Toshiba

TTC012_datasheet_en_20160122-1133743.pdf Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT NPN PWR Amp Trans 2A IC 3A ICP 800V
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+71.74 грн
10+ 57.66 грн
100+ 38.99 грн
600+ 33.05 грн
1000+ 26.9 грн
2600+ 25.3 грн
5000+ 24.1 грн
Мінімальне замовлення: 5
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TTC012(Q) Toshiba

Description: TRANS NPN 375V 2A PW-MOLD2, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 62.5mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 300mA, 5V, Supplier Device Package: PW-MOLD2, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 375 V, Power - Max: 1.1 W.

Інші пропозиції TTC012(Q)

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TTC012(Q) TTC012(Q) Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TTC008_TTC012_Overview.pdf Description: TRANS NPN 375V 2A PW-MOLD2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 62.5mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 300mA, 5V
Supplier Device Package: PW-MOLD2
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 375 V
Power - Max: 1.1 W
товар відсутній