TTC015B,Q Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 80V 2A TO-126N
Packaging: Tray
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-126N
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 61.24 грн |
| 10+ | 42.23 грн |
| 250+ | 23.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TTC015B,Q Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 80V 2A TO-126N, Packaging: Tray, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 150MHz, Supplier Device Package: TO-126N, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 1.5 W.
Інші пропозиції TTC015B,Q за ціною від 16.53 грн до 67.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TTC015B,Q | Виробник : Toshiba |
Bipolar Transistors - BJT Pb-F POWER TRANSISTOR TO-126N PC=10W F=1MHZ |
на замовлення 392 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
TTC015B,Q | Виробник : Toshiba |
Trans GP BJT NPN 80V 2A 1500mW 3-Pin TO-126N Sack |
товару немає в наявності |