TTC015B,Q Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 80V 2A TO-126N
Packaging: Tray
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-126N
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 70.54 грн |
| 10+ | 42.42 грн |
| 250+ | 23.88 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
5 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TTC015B,Q Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 80V 2A TO-126N, Packaging: Tray, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 150MHz, Supplier Device Package: TO-126N, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 1.5 W.
