TTC015B,Q

TTC015B,Q Toshiba


TTC015B_datasheet_en_20150122-1649852.pdf
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT Pb-F POWER TRANSISTOR TO-126N PC=10W F=1MHZ
на замовлення 392 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.77 грн
10+43.83 грн
100+30.52 грн
250+26.51 грн
500+20.25 грн
1000+17.16 грн
5000+15.40 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TTC015B,Q Toshiba

Description: TRANS NPN 80V 2A TO-126N, Power - Max: 1.5 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-126N, Frequency - Transition: 150MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Packaging: Tray.

Інші пропозиції TTC015B,Q за ціною від 24.10 грн до 71.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TTC015B,Q TTC015B,Q Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=28833&prodName=TTC015B Description: TRANS NPN 80V 2A TO-126N
Power - Max: 1.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-126N
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Tray
на замовлення 329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.20 грн
10+42.82 грн
250+24.10 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.