TTC015B,Q Toshiba
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 68.30 грн |
| 10+ | 47.70 грн |
| 100+ | 33.21 грн |
| 250+ | 28.85 грн |
| 500+ | 22.04 грн |
| 1000+ | 18.67 грн |
| 5000+ | 16.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TTC015B,Q Toshiba
Description: PB-F POWER TRANSISTOR TO-126N PC, Packaging: Tray, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 150MHz, Supplier Device Package: TO-126N, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 1.5 W.
Інші пропозиції TTC015B,Q за ціною від 26.69 грн до 52.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TTC015B,Q | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: PB-F POWER TRANSISTOR TO-126N PCPackaging: Tray Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: TO-126N Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.5 W |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
 |
TTC015B,Q | Виробник : Toshiba |
Trans GP BJT NPN 80V 2A 1500mW 3-Pin TO-126N Sack |
товару немає в наявності |