Продукція > TOSHIBA > TTD1409B,S4X
TTD1409B,S4X

TTD1409B,S4X Toshiba


3943373530424134424233314645333642413842303433384545314644424137.pdf
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT Silicon NPN Triple-Diffused Type Bipolar Transistors
на замовлення 1616 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+205.94 грн
10+87.34 грн
100+66.53 грн
500+59.00 грн
1000+55.06 грн
2500+54.15 грн
5000+50.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TTD1409B,S4X Toshiba

Description: TRANS NPN DARL 400V 6A TO-220SIS, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN - Darlington, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 40mA, 4A, Current - Collector Cutoff (Max): 20µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 600 @ 2A, 2V, Supplier Device Package: TO-220SIS, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 6 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V, Power - Max: 2 W.

Інші пропозиції TTD1409B,S4X

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TTD1409B,S4X TTD1409B,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TTD1409B_datasheet_en_20150806.pdf?did=13852&prodName=TTD1409B Description: TRANS NPN DARL 400V 6A TO-220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 600 @ 2A, 2V
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TTD1409B,S4X TTD1409B_datasheet_en_20150806.pdf?did=13852&prodName=TTD1409B
TTD1409B,S4X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN DARL 400V 6A TO-220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 600 @ 2A, 2V
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.