TTD1409B,S4X Toshiba
на замовлення 4037 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 184.09 грн |
| 50+ | 64.40 грн |
| 100+ | 51.81 грн |
| 250+ | 49.47 грн |
| 500+ | 48.88 грн |
| 1000+ | 47.48 грн |
| 2500+ | 47.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TTD1409B,S4X Toshiba
Description: TRANS NPN DARL 400V 6A TO-220SIS, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN - Darlington, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 40mA, 4A, Current - Collector Cutoff (Max): 20µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 600 @ 2A, 2V, Supplier Device Package: TO-220SIS, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 6 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V, Power - Max: 2 W.
Інші пропозиції TTD1409B,S4X
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TTD1409B,S4X | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: TRANS NPN DARL 400V 6A TO-220SISPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 40mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 20µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 600 @ 2A, 2V Supplier Device Package: TO-220SIS Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
 |
TTD1409B,S4X | Виробник : Toshiba |
Trans Darlington NPN 400V 6A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine |
товару немає в наявності |