Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TW015N120C,S1F Toshiba
Description: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 15MO, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C, Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 50A, 18V, Power Dissipation (Max): 431W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 11.7mA, Supplier Device Package: TO-247, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +25V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 800 V.
Інші пропозиції TW015N120C,S1F за ціною від 1663.47 грн до 5520.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TW015N120C,S1F | Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
TW015N120C,S1F | Toshiba | SiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 15mohm |
на замовлення 31 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||
| TW015N120C,S1F | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 15MO Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 50A, 18V Power Dissipation (Max): 431W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 11.7mA Supplier Device Package: TO-247 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 800 V |
на замовлення 48 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| TW015N120C,S1F |
|
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 5520.32 грн |
| TW015N120C,S1F |
Виробник: Toshiba
SiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 15mohm
SiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 15mohm
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| TW015N120C,S1F |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 15MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 431W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 11.7mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 800 V
Description: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 15MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 431W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 11.7mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 800 V
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2609.39 грн |
| 30+ | 1663.47 грн |