на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3453.20 грн |
| 10+ | 3198.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TW015N65C,S1F Toshiba
Description: G3 650V SIC-MOSFET TO-247 15MOH, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C, Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 50A, 18V, Power Dissipation (Max): 342W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 11.7mA, Supplier Device Package: TO-247, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +25V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 400 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400.
Інші пропозиції TW015N65C,S1F за ціною від 3327.54 грн до 4976.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TW015N65C,S1F | Виробник : Toshiba |
 TW015N65C,S1F |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
TW015N65C,S1F | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: G3 650V SIC-MOSFET TO-247 15MOH Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 50A, 18V Power Dissipation (Max): 342W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 11.7mA Supplier Device Package: TO-247 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 400 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 |
на замовлення 52 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
TW015N65C,S1F | Виробник : Toshiba |
SiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247 15mohm |
на замовлення 79 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|