на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 3673.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TW015Z120C,S1F Toshiba
Description: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 1, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C, Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 50A, 18V, Power Dissipation (Max): 431W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 11.7mA, Supplier Device Package: TO-247-4L(X), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +25V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 800 V.
Інші пропозиції TW015Z120C,S1F за ціною від 3642.78 грн до 6036.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TW015Z120C,S1F | Виробник : Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 55 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
TW015Z120C,S1F | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
TW015Z120C,S1F | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
TW015Z120C,S1F | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 1 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 50A, 18V Power Dissipation (Max): 431W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 11.7mA Supplier Device Package: TO-247-4L(X) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 800 V |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
TW015Z120C,S1F | Виробник : Toshiba |
SiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm |
на замовлення 123 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|