TW015Z65C,S1F(S TOSHIBA
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TW015Z65C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 650 V, 0.015 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 342W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TW015Z65C,S1F(S TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TW015Z65C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 650 V, 0.015 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 342W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm.
Інші пропозиції TW015Z65C,S1F(S за ціною від 6584.30 грн до 7942.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TW015Z65C,S1F(S | Toshiba | MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| TW015Z65C,S1F(S |
Виробник: Toshiba
MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm
MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 7942.37 грн |
| 5+ | 7436.60 грн |
| 10+ | 6584.30 грн |