на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 3249.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TW015Z65C,S1F Toshiba
Description: G3 650V SIC-MOSFET TO-247-4L 15, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C, Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Power Dissipation (Max): 342W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 11.7mA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +25V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 400 V.
Інші пропозиції TW015Z65C,S1F за ціною від 3307.33 грн до 3730.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TW015Z65C,S1F | Виробник : Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH SiC 650V 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
TW015Z65C,S1F | Виробник : Toshiba |
SiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm |
на замовлення 142 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
|
|
TW015Z65C,S1F | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||
| TW015Z65C,S1F | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: G3 650V SIC-MOSFET TO-247-4L 15 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Power Dissipation (Max): 342W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 11.7mA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |