на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1804.07 грн |
| 10+ | 1717.53 грн |
| 30+ | 1263.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TW027N65C,S1F Toshiba
Description: G3 650V SIC-MOSFET TO-247 27MOH, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C, Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 29A, 18V, Power Dissipation (Max): 156W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA, Supplier Device Package: TO-247, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +25V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2288 pF @ 400 V.
Інші пропозиції TW027N65C,S1F за ціною від 1998.23 грн до 1998.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TW027N65C,S1F | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: G3 650V SIC-MOSFET TO-247 27MOHPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 29A, 18V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA Supplier Device Package: TO-247 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2288 pF @ 400 V |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|