TW030N120C,S1F(S TOSHIBA
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TW030N120C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 249W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TW030N120C,S1F(S TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TW030N120C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 249W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm.
Інші пропозиції TW030N120C,S1F(S за ціною від 995.50 грн до 995.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TW030N120C,S1F(S | TOSHIBA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 1.2kV; 60A Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 60A On-state resistance: 40mΩ |
на замовлення 60 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| TW030N120C,S1F(S |
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 1.2kV; 60A
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 60A
On-state resistance: 40mΩ
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 1.2kV; 60A
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 60A
On-state resistance: 40mΩ
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 60+ | 995.50 грн |