TW030Z120C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Power Dissipation (Max): 249W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 13mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2925 pF @ 800 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 838.13 грн |
| 30+ | 482.55 грн |
| 60+ | 443.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TW030Z120C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage
Description: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C, Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Power Dissipation (Max): 249W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 13mA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +25V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2925 pF @ 800 V.
Інші пропозиції TW030Z120C,S1F
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TW030Z120C,S1F | Toshiba |
SiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 30mohm |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| TW030Z120C,S1F |
|
Виробник: Toshiba
SiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 30mohm
SiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 30mohm
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)