TW031V65C,LQ Toshiba Semiconductor and Storage
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1047.50 грн |
| 10+ | 709.29 грн |
| 100+ | 594.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TW031V65C,LQ Toshiba Semiconductor and Storage
SiC MOSFETs N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.031 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen..
Інші пропозиції TW031V65C,LQ за ціною від 1850.97 грн до 2691.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
TW031V65C,LQ | Toshiba |
SiC MOSFETs N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.031 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen. |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| TW031V65C,LQ |
![]() |
Виробник: Toshiba
SiC MOSFETs N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.031 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen.
SiC MOSFETs N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.031 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen.
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2691.95 грн |
| 10+ | 2172.29 грн |
| 100+ | 1879.10 грн |
| 500+ | 1878.40 грн |
| 2500+ | 1850.97 грн |




