TW031V65C,LQ Toshiba Semiconductor and Storage
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1019.12 грн |
| 10+ | 690.08 грн |
| 100+ | 578.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TW031V65C,LQ Toshiba Semiconductor and Storage
SiC MOSFETs N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.031 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen..
Інші пропозиції TW031V65C,LQ
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
TW031V65C,LQ | Toshiba |
SiC MOSFETs N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.031 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen. |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| TW031V65C,LQ |
![]() |
Виробник: Toshiba
SiC MOSFETs N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.031 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen.
SiC MOSFETs N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.031 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen.
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)




