TW045Z120C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 6.7mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(X)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1969 pF @ 800 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 20A, 18V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1693.37 грн |
| 30+ | 1036.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TW045Z120C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage
Description: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 4, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C, Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Power Dissipation (Max): 182W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 6.7mA, Supplier Device Package: TO-247-4L(X), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +25V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1969 pF @ 800 V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 20A, 18V.
Інші пропозиції TW045Z120C,S1F за ціною від 1212.42 грн до 2140.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TW045Z120C,S1F | Виробник : Toshiba |
SiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 45mohm |
на замовлення 32 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|