TW060N120C,S1F(S TOSHIBA
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TW060N120C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.078 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 170W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TW060N120C,S1F(S TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TW060N120C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.078 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 170W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm.
Інші пропозиції TW060N120C,S1F(S за ціною від 904.73 грн до 904.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TW060N120C,S1F(S | TOSHIBA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 1.2kV; 36A Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 36A On-state resistance: 78mΩ |
на замовлення 90 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| TW060N120C,S1F(S |
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 1.2kV; 36A
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 36A
On-state resistance: 78mΩ
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 1.2kV; 36A
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 36A
On-state resistance: 78mΩ
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 60+ | 904.73 грн |