Технічний опис TW083N65C,S1F(S Toshiba
Description: TOSHIBA - TW083N65C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.113 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 111W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.113ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції TW083N65C,S1F(S за ціною від 466.53 грн до 1677.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TW083N65C,S1F(S | Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
на замовлення 43 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
| TW083N65C,S1F(S | TOSHIBA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 30A; 111W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 650V Drain current: 30A Power dissipation: 111W Case: TO247 On-state resistance: 113mΩ Gate charge: 28nC Kind of channel: enhancement |
на замовлення 120 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| TW083N65C,S1F(S |
|
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 1677.18 грн |
| 10+ | 1625.99 грн |
| 20+ | 1525.81 грн |
| TW083N65C,S1F(S |
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 30A; 111W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 111W
Case: TO247
On-state resistance: 113mΩ
Gate charge: 28nC
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 30A; 111W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 111W
Case: TO247
On-state resistance: 113mΩ
Gate charge: 28nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 90+ | 466.53 грн |