TW083N65C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: G3 650V SIC-MOSFET TO-247 83MOH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 113mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 111W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 600µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 873 pF @ 400 V
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 731.97 грн |
| 10+ | 509.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TW083N65C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage
Description: G3 650V SIC-MOSFET TO-247 83MOH, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C, Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 113mOhm @ 15A, 18V, Power Dissipation (Max): 111W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 600µA, Supplier Device Package: TO-247, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +25V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 873 pF @ 400 V.
Інші пропозиції TW083N65C,S1F за ціною від 832.25 грн до 832.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TW083N65C,S1F | Виробник : Toshiba |
SiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247 83mohm |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|