на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 904.18 грн |
| 10+ | 746.09 грн |
| 30+ | 627.49 грн |
| 60+ | 526.21 грн |
| 120+ | 489.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TW083Z65C,S1F Toshiba
Description: G3 650V SIC-MOSFET TO-247-4L 83, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C, Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Power Dissipation (Max): 111W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 600µA, Supplier Device Package: TO-247-4L(X), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +25V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 873 pF @ 400 V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 118mOhm @ 15A, 18V.
Інші пропозиції TW083Z65C,S1F за ціною від 644.46 грн до 956.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TW083Z65C,S1F | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: G3 650V SIC-MOSFET TO-247-4L 83Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Power Dissipation (Max): 111W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 600µA Supplier Device Package: TO-247-4L(X) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 873 pF @ 400 V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 118mOhm @ 15A, 18V |
на замовлення 88 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|