Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TW107N65C,S1F
TW107N65C,S1F

TW107N65C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage

TW107N65C_datasheet_en_20221214.pdf?did=143304&prodName=TW107N65C Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: G3 650V SIC-MOSFET TO-247 107MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 76W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+869.31 грн
30+503.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TW107N65C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage

Description: G3 650V SIC-MOSFET TO-247 107MO, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C, Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 10A, 18V, Power Dissipation (Max): 76W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.2mA, Supplier Device Package: TO-247, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +25V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V.

Інші пропозиції TW107N65C,S1F за ціною від 434.47 грн до 935.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TW107N65C,S1F TW107N65C,S1F Виробник : Toshiba Toshiba_TW107N65C_E_20220616.pdf SiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247 107mohm
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+935.86 грн
10+791.67 грн
120+573.18 грн
270+539.42 грн
510+505.66 грн
1020+455.02 грн
2520+434.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW107N65C,S1F Виробник : Toshiba docget.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+674.97 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
TW107N65C,S1F Виробник : Toshiba docget.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+726.89 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
TW107N65C,S1F Виробник : Toshiba docget.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.