Продукція > TOSHIBA > TW107Z65C,S1F
TW107Z65C,S1F

TW107Z65C,S1F Toshiba

docget.pdf Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
44+280.79 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TW107Z65C,S1F Toshiba

Description: G3 650V SIC-MOSFET TO-247-4L 10, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C, Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 152mOhm @ 10A, 18V, Power Dissipation (Max): 76W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.2mA, Supplier Device Package: TO-247-4L(X), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +25V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V.

Інші пропозиції TW107Z65C,S1F за ціною від 386.26 грн до 876.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TW107Z65C,S1F TW107Z65C,S1F Виробник : Toshiba docget.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+531.29 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
TW107Z65C,S1F TW107Z65C,S1F Виробник : Toshiba docget.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+569.24 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
TW107Z65C,S1F TW107Z65C,S1F Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=149835&prodName=TW107Z65C Description: G3 650V SIC-MOSFET TO-247-4L 10
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 152mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 76W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(X)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+864.51 грн
30+587.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW107Z65C,S1F TW107Z65C,S1F Виробник : Toshiba B7A5A87FED1A742D6873858B1CB806F73DC13B5961EFDAABECBA63184592CA8A.pdf SiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 107mohm
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+876.39 грн
10+671.12 грн
120+504.35 грн
510+454.07 грн
1020+386.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW107Z65C,S1F TW107Z65C,S1F Виробник : Toshiba docget.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.