Продукція > TOSHIBA > TW140N120C,S1F
TW140N120C,S1F

TW140N120C,S1F Toshiba

Toshiba_TW140N120C_E_20220615.pdf Виробник: Toshiba
SiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 140mohm
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+863.93 грн
10+682.79 грн
30+513.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TW140N120C,S1F Toshiba

Description: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 140M, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C, Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 10A, 18V, Power Dissipation (Max): 107W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-247, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +25V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 691 pF @ 800 V.

Інші пропозиції TW140N120C,S1F за ціною від 440.95 грн до 987.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TW140N120C,S1F TW140N120C,S1F Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=143253&prodName=TW140N120C Description: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 140M
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 691 pF @ 800 V
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+987.60 грн
30+583.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW140N120C,S1F Виробник : Toshiba docget.pdf G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 140mohm
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+440.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TW140N120C,S1F Виробник : Toshiba docget.pdf G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 140mohm
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+584.32 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
TW140N120C,S1F Виробник : Toshiba docget.pdf G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 140mohm
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+629.27 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
TW140N120C,S1F Виробник : Toshiba docget.pdf G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 140mohm
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TW140N120C,S1F Виробник : Toshiba tw140n120c_datasheet_en_20220615.pdf TW140N120C,S1F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.