на замовлення 178 шт:
термін постачання 189-198 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 800.73 грн |
| 10+ | 684.52 грн |
| 30+ | 505.48 грн |
| 120+ | 495.35 грн |
| 270+ | 485.91 грн |
| 510+ | 475.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TW140N120C,S1F Toshiba
Description: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 140M, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C, Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 10A, 18V, Power Dissipation (Max): 107W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-247, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +25V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 691 pF @ 800 V.
Інші пропозиції TW140N120C,S1F
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| TW140N120C,S1F | Виробник : Toshiba |
 TW140N120C,S1F |
товар відсутній |
||
 |
TW140N120C,S1F | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 140M Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 10A, 18V Power Dissipation (Max): 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 691 pF @ 800 V |
товар відсутній |