Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TW140Z120C,S1F Toshiba
Description: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 14, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C, Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 191mOhm @ 10A, 18V, Power Dissipation (Max): 107W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-247-4L(X), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +25V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 691 pF @ 800 V.
Інші пропозиції TW140Z120C,S1F за ціною від 494.80 грн до 719.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TW140Z120C,S1F | Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
TW140Z120C,S1F | Toshiba |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
TW140Z120C,S1F | Toshiba |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
TW140Z120C,S1F | Toshiba |
SiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 140mohm |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TW140Z120C,S1F | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 14 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 191mOhm @ 10A, 18V Power Dissipation (Max): 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247-4L(X) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 691 pF @ 800 V |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| TW140Z120C,S1F |
|
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 592.12 грн |
| TW140Z120C,S1F |
|
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 628.83 грн |
| TW140Z120C,S1F |
|
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 628.83 грн |
| TW140Z120C,S1F |
|
Виробник: Toshiba
SiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 140mohm
SiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 140mohm
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| TW140Z120C,S1F |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 14
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 191mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(X)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 691 pF @ 800 V
Description: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 14
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 191mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(X)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 691 pF @ 800 V
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 719.70 грн |
| 10+ | 593.79 грн |
| 100+ | 494.80 грн |