UHB100SC12E1BC3N onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 1200V 100A MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 P-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 417W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5859pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 70A, 12V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 40mA
Supplier Device Package: Module
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 12617.49 грн |
| 24+ | 11187.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UHB100SC12E1BC3N onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 1200V 100A MODULE, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 2 P-Channel (Half Bridge), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Power - Max: 417W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5859pF @ 800V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 70A, 12V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170nC @ 15V, Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 40mA, Supplier Device Package: Module.
Інші пропозиції UHB100SC12E1BC3N за ціною від 14130.60 грн до 20047.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
UHB100SC12E1BC3N | Виробник : onsemi |
Discrete Semiconductor Modules 1200V/100ASICHALF-BRIDG |
на замовлення 97 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
|
|
UHB100SC12E1BC3N | Виробник : Qorvo |
Discrete Semiconductor Modules UHB100SC12E1BC3N |
на замовлення 32 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
| UHB100SC12E1BC3-N | Виробник : United Silicon Carbide |
1200V-9.4mW SiC Half-Bridge Module |
товару немає в наявності |