Продукція > TOSHIBA > ULN2803AFWG,C,EL
ULN2803AFWG,C,EL

ULN2803AFWG,C,EL Toshiba


19698395254807981969837969716738uln2804apg_datasheet_en_20121126.pdf.pdf Виробник: Toshiba
Trans Darlington NPN 50V 0.5A 1310mW 18-Pin SOP
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ULN2803AFWG,C,EL Toshiba

Description: TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18SOL, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 18-SOIC (0.295", 7.50mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 8 NPN Darlington, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Power - Max: 480mW, Current - Collector (Ic) (Max): 500mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V, Supplier Device Package: 18-SOP, Part Status: Obsolete, Number of Inputs: 8, Number of Circuits: 8, Logic Type: NPN, Voltage - Supply: 2.5V ~ 30V, Current - Output High, Low: 268mA, 90mA.

Інші пропозиції ULN2803AFWG,C,EL

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ULN2803AFWG,C,EL ULN2803AFWG,C,EL Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18SOL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 18-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 8 NPN Darlington
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Power - Max: 480mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V
Supplier Device Package: 18-SOP
Part Status: Obsolete
Number of Inputs: 8
Number of Circuits: 8
Logic Type: NPN
Voltage - Supply: 2.5V ~ 30V
Current - Output High, Low: 268mA, 90mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.