Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > UMB2NTN
UMB2NTN

UMB2NTN Rohm Semiconductor

datasheet?p=UMB2N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6
Part Status: Active
Supplier Device Package: UMT6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис UMB2NTN Rohm Semiconductor

Description: ROHM - UMB2NTN - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, zweifach, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: UMB2N Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Zweifach pnp, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції UMB2NTN за ціною від 5.52 грн до 34.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
UMB2NTN UMB2NTN Rohm Semiconductor datasheet?p=UMB2N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6
Part Status: Active
Supplier Device Package: UMT6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.29 грн
15+20.64 грн
100+10.42 грн
500+8.67 грн
1000+6.74 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMB2NTN UMB2NTN ROHM Semiconductor datasheet?p=UMB2N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PNP 50V 30MA
на замовлення 749 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.07 грн
13+25.09 грн
100+13.60 грн
500+9.32 грн
1000+7.18 грн
3000+6.01 грн
9000+5.52 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMB2NTN UMB2NTN ROHM umb2ntn-e.pdf Description: ROHM - UMB2NTN - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, zweifach, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: UMB2N Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+34.63 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMB2-N-TN
на замовлення 1169 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UMB2 N TN ROHM 09+
на замовлення 102018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UMB2NTN datasheet?p=UMB2N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
UMB2NTN
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6
Part Status: Active
Supplier Device Package: UMT6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+30.29 грн
15+20.64 грн
100+10.42 грн
500+8.67 грн
1000+6.74 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMB2NTN datasheet?p=UMB2N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
UMB2NTN
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PNP 50V 30MA
на замовлення 749 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+34.07 грн
13+25.09 грн
100+13.60 грн
500+9.32 грн
1000+7.18 грн
3000+6.01 грн
9000+5.52 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMB2NTN umb2ntn-e.pdf
UMB2NTN
Виробник: ROHM
Description: ROHM - UMB2NTN - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, zweifach, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: UMB2N Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+34.63 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMB2-N-TN
на замовлення 1169 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UMB2 N TN
Виробник: ROHM
09+
на замовлення 102018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.