UMB2NTN Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 6.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UMB2NTN Rohm Semiconductor
Description: ROHM - UMB2NTN - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, zweifach, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: UMB2N Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Zweifach pnp, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції UMB2NTN за ціною від 5.87 грн до 36.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
UMB2NTN | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin UMT T/R |
на замовлення 2295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
UMB2NTN | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: UMT6 Part Status: Active |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
UMB2NTN | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - UMB2NTN - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, zweifach, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: UMB2N Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach pnp Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 41 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
UMB2NTN | Виробник : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PNP 50V 30MA |
на замовлення 749 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
UMB2NTN | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - UMB2NTN - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, zweifach, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: UMB2N Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach pnp Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 41 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
UMB2NTN | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin UMT T/R |
на замовлення 75 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| UMB2-N-TN |
на замовлення 1169 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
| UMB2 N TN | Виробник : ROHM |
на замовлення 57200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
| UMB2 N TN | Виробник : ROHM | 09+ |
на замовлення 102018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| UMB2 N TN | Виробник : ROHM | SOT363 |
на замовлення 102000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |