UMB4NTN ROHM Semiconductor
на замовлення 2964 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 31.7 грн |
| 14+ | 22.99 грн |
| 100+ | 11.29 грн |
| 1000+ | 5.71 грн |
| 3000+ | 4.58 грн |
| 9000+ | 3.92 грн |
| 24000+ | 3.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UMB4NTN ROHM Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 150mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Supplier Device Package: UMT6.
Інші пропозиції UMB4NTN
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| UMB4NTN | Виробник : ROHM |
 |
на замовлення 12200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| UMB4NTN | Виробник : ROHM |
09+ |
на замовлення 277118 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| UMB4 N TN | Виробник : ROHM | SOT363-B4 |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| UMB4NTN | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
UMB4NTN PNP SMD transistors |
товар відсутній |
||
 |
UMB4NTN | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Supplier Device Package: UMT6 |
товар відсутній |
|
|
|
UMB4NTN | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Supplier Device Package: UMT6 |
товар відсутній |