UMB4NTN ROHM Semiconductor
на замовлення 2964 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 36.35 грн |
| 14+ | 26.37 грн |
| 100+ | 12.95 грн |
| 1000+ | 6.55 грн |
| 3000+ | 5.26 грн |
| 9000+ | 4.49 грн |
| 24000+ | 4.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UMB4NTN ROHM Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 150mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Supplier Device Package: UMT6.
Інші пропозиції UMB4NTN
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| UMB4NTN | Виробник : ROHM |
|
на замовлення 12200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| UMB4NTN | Виробник : ROHM |
09+ |
на замовлення 277118 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| UMB4 N TN | Виробник : ROHM | SOT363-B4 |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
|
UMB4NTN | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Supplier Device Package: UMT6 |
товару немає в наявності |
|
|
UMB4NTN | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Supplier Device Package: UMT6 |
товару немає в наявності |

