Технічний опис UTV080 GHZ
Description: RF TRANS NPN 28V 860MHZ 55JV, Gain: 9dB ~ 10dB, Operating Temperature: 200°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Channel, DIN Rail Mount, Package / Case: 55JV, Packaging: Bulk, Supplier Device Package: 55JV, Frequency - Transition: 470MHz ~ 860MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 500mA, 5V, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 28V, Current - Collector (Ic) (Max): 2.5A, Power - Max: 65W.
Інші пропозиції UTV080
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| UTV080 | Виробник : Microsemi Corporation |
Description: RF TRANS NPN 28V 860MHZ 55JV Gain: 9dB ~ 10dB Operating Temperature: 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Channel, DIN Rail Mount Package / Case: 55JV Packaging: Bulk Supplier Device Package: 55JV Frequency - Transition: 470MHz ~ 860MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 500mA, 5V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 28V Current - Collector (Ic) (Max): 2.5A Power - Max: 65W |
товару немає в наявності |
||
| UTV080 | Виробник : Microsemi | RF Bipolar Transistors Bipolar/LDMOS Transistor |
товару немає в наявності |