Продукція > UTV > UTV080

UTV080


Виробник:

на замовлення 320 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис UTV080

Description: RF TRANS NPN 28V 860MHZ 55JV, Packaging: Bulk, Package / Case: 55JV, Mounting Type: Channel, DIN Rail Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 200°C (TJ), Gain: 9dB ~ 10dB, Power - Max: 65W, Current - Collector (Ic) (Max): 2.5A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 28V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 500mA, 5V, Frequency - Transition: 470MHz ~ 860MHz, Supplier Device Package: 55JV.

Інші пропозиції UTV080

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
UTV080 Microsemi Corporation Description: RF TRANS NPN 28V 860MHZ 55JV
Packaging: Bulk
Package / Case: 55JV
Mounting Type: Channel, DIN Rail Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Gain: 9dB ~ 10dB
Power - Max: 65W
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 28V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 470MHz ~ 860MHz
Supplier Device Package: 55JV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UTV080 Microsemi RF Bipolar Transistors Bipolar/LDMOS Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UTV080
Виробник: Microsemi Corporation
Description: RF TRANS NPN 28V 860MHZ 55JV
Packaging: Bulk
Package / Case: 55JV
Mounting Type: Channel, DIN Rail Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Gain: 9dB ~ 10dB
Power - Max: 65W
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 28V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 470MHz ~ 860MHz
Supplier Device Package: 55JV
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UTV080
Виробник: Microsemi
RF Bipolar Transistors Bipolar/LDMOS Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.