Технічний опис UTV080 GHZ
Description: RF TRANS NPN 28V 860MHZ 55JV, Packaging: Bulk, Package / Case: 55JV, Mounting Type: Channel, DIN Rail Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 200°C (TJ), Gain: 9dB ~ 10dB, Power - Max: 65W, Current - Collector (Ic) (Max): 2.5A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 28V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 500mA, 5V, Frequency - Transition: 470MHz ~ 860MHz, Supplier Device Package: 55JV. 
Інші пропозиції UTV080
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | 
|---|---|---|---|---|---|
| UTV080 | Виробник : GHZ | TO-55 | на замовлення 320 шт:термін постачання 14-28 дні (днів) | ||
| UTV080 | Виробник : Microsemi Corporation | Description: RF TRANS NPN 28V 860MHZ 55JV Packaging: Bulk Package / Case: 55JV Mounting Type: Channel, DIN Rail Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 200°C (TJ) Gain: 9dB ~ 10dB Power - Max: 65W Current - Collector (Ic) (Max): 2.5A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 28V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 470MHz ~ 860MHz Supplier Device Package: 55JV | товару немає в наявності | ||
| UTV080 | Виробник : Microsemi | RF Bipolar Transistors Bipolar/LDMOS Transistor | товару немає в наявності |