VN2410L-G Microchip Technology
на замовлення 2775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 183+ | 64.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VN2410L-G Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 240V 190MA TO92-3, Packaging: Bag, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-92-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V.
Інші пропозиції VN2410L-G за ціною від 55.28 грн до 84.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
,TO-226_straightlead.jpg "VN2410L-G") |
VN2410L-G | Виробник : Microchip Technology |
 Description: MOSFET N-CH 240V 190MA TO92-3Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V |
на замовлення 811 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
VN2410L-G | Виробник : Microchip Technology |
MOSFET 240V 10Ohm |
на замовлення 1928 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
| VN2410LG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 240V 0.2A 3-Pin TO-92 Box |
товар відсутній |
||||||||||
 |
VN2410L-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 240V 0.19A 3-Pin TO-92 Bag |
товар відсутній |
|||||||||
 |
VN2410LG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 240V 0.2A 3-Pin TO-92 Box |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
VN2410L-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 240V 0.19A 3-Pin TO-92 Bag |
товар відсутній |
|||||||||
 |
VN2410L-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 190mA; Idm: 1.7A; 1W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 240V Drain current: 0.19A Pulsed drain current: 1.7A Power dissipation: 1W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||
 |
VN2410LG | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 240V 200MA TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||
 |
VN2410LG | Виробник : onsemi |
MOSFET 240V 200mA N-Channel |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
VN2410L-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 190mA; Idm: 1.7A; 1W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 240V Drain current: 0.19A Pulsed drain current: 1.7A Power dissipation: 1W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |