VN2410L-G MICROCHIP TECHNOLOGY


VN2410-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20006534A.pdf
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 190mA; Idm: 1.7A; 1W; TO92
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.19A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 240V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: bulk
Case: TO92
On-state resistance: 10Ω
Manufacturer standard package: 1000pcs.
Pulsed drain current: 1.7A
Power dissipation: 1W
на замовлення 816 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+79.48 грн
17+58.35 грн
47+55.78 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 14-30 дні (днів)
Мінімальна партія: 6 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис VN2410L-G MICROCHIP TECHNOLOGY

Description: MICROCHIP - VN2410L-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 190 mA, 10 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 240V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 190mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 1W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm.

Інші пропозиції VN2410L-G за ціною від 60.25 грн до 111.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
VN2410L-G VN2410L-G Microchip Technology VN2410-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20006534A.pdf Description: MOSFET N-CH 240V 190MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.81 грн
25+67.01 грн
100+60.25 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN2410L-G VN2410L-G Microchip Technology vn2410c081913.pdf Trans MOSFET N-CH Si 240V 0.19A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
172+86.09 грн
250+79.48 грн
500+75.61 грн
Мінімальне замовлення: 172 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN2410L-G VN2410L-G Microchip Technology VN2410_N_Channel_Enhancement_Mode_Vertical_DMOS_FET_Data_Sheet_20006534A.pdf MOSFETs 240V 10Ohm
на замовлення 1471 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
4+88.54 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN2410L-G VN2410L-G Microchip Technology vn2410c081913.pdf Trans MOSFET N-CH Si 240V 0.19A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
133+111.93 грн
Мінімальне замовлення: 133 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN2410L-G VN2410L-G MICROCHIP VN2410%20C081913.pdf Description: MICROCHIP - VN2410L-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 190 mA, 10 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VN2410L-G VN2410-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20006534A.pdf
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 240V 190MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+81.81 грн
25+67.01 грн
100+60.25 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN2410L-G vn2410c081913.pdf
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 240V 0.19A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
172+86.09 грн
250+79.48 грн
500+75.61 грн
Мінімальне замовлення: 172 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN2410L-G VN2410_N_Channel_Enhancement_Mode_Vertical_DMOS_FET_Data_Sheet_20006534A.pdf
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs 240V 10Ohm
на замовлення 1471 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+88.54 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN2410L-G vn2410c081913.pdf
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 240V 0.19A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
133+111.93 грн
Мінімальне замовлення: 133 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN2410L-G VN2410%20C081913.pdf
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - VN2410L-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 190 mA, 10 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.