
VN2410L-G Microchip Technology
на замовлення 311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
151+ | 81.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VN2410L-G Microchip Technology
Description: MICROCHIP - VN2410L-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 190 mA, 10 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 240V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 190mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції VN2410L-G за ціною від 63.84 грн до 108.12 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
VN2410L-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V |
на замовлення 3197 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
VN2410L-G | Виробник : MICROCHIP |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 240V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 434 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
VN2410L-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 1802 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
VN2410L-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 2425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
VN2410LG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||
![]() |
VN2410L-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
VN2410LG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
VN2410L-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
VN2410LG | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
VN2410LG | Виробник : onsemi |
![]() |
товару немає в наявності |