VN3205N3-G Microchip Technology
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 50V 1.2A TO92-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-92-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bag
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 111.34 грн |
| 25+ | 88.75 грн |
| 100+ | 81.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VN3205N3-G Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 50V 1.2A TO92-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: TO-92-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10mA, Power Dissipation (Max): 1W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 3A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Tj), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Packaging: Bag.
Інші пропозиції VN3205N3-G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
VN3205N3-G | Microchip Technology |
MOSFETs 50V 0.3Ohm |
на замовлення 2895 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| VN3205N3G |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| VN3205N3-G |
|
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs 50V 0.3Ohm
MOSFETs 50V 0.3Ohm
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)