VN3205N3-G Microchip Technology
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 85.41 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
9 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VN3205N3-G Microchip Technology
Description: MICROCHIP - VN3205N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 1.2 A, 0.3 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції VN3205N3-G за ціною від 65.34 грн до 116.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
VN3205N3-G | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 1.2A; Idm: 8A; 1W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 1.2A Power dissipation: 1W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement Manufacturer standard package: 1000pcs. Pulsed drain current: 8A |
на замовлення 772 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
VN3205N3-G | Microchip Technology |
MOSFETs 50V 0.3Ohm |
на замовлення 282 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||
|
VN3205N3-G | Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 50V 1.2A TO92-3Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10mA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V |
на замовлення 131 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
VN3205N3-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 50V 1.2A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 2025 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
VN3205N3-G | MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - VN3205N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 1.2 A, 0.3 ohm, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1084 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
VN3205N3-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 50V 1.2A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 7 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
VN3205N3-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 50V 1.2A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 37 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
VN3205N3-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 50V 1.2A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 69 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 38 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| VN3205N3G |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| VN3205N3-G |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 1.2A; Idm: 8A; 1W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Manufacturer standard package: 1000pcs.
Pulsed drain current: 8A
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 1.2A; Idm: 8A; 1W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Manufacturer standard package: 1000pcs.
Pulsed drain current: 8A
на замовлення 772 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 99.76 грн |
| 14+ | 68.65 грн |
| 38+ | 65.34 грн |
| VN3205N3-G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs 50V 0.3Ohm
MOSFETs 50V 0.3Ohm
на замовлення 282 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 109.59 грн |
| 25+ | 89.27 грн |
| 100+ | 71.10 грн |
| VN3205N3-G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 50V 1.2A TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 50V 1.2A TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 112.86 грн |
| 25+ | 89.83 грн |
| 100+ | 82.67 грн |
| VN3205N3-G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 50V 1.2A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH Si 50V 1.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 2025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 123+ | 116.25 грн |
| 250+ | 106.73 грн |
| 500+ | 105.12 грн |
| 1000+ | 97.55 грн |
| VN3205N3-G |
![]() |
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - VN3205N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 1.2 A, 0.3 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: MICROCHIP - VN3205N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 1.2 A, 0.3 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| VN3205N3-G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 50V 1.2A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH Si 50V 1.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| VN3205N3-G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 50V 1.2A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH Si 50V 1.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| VN3205N3-G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 50V 1.2A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH Si 50V 1.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)







