,TO-226_straightlead.jpg "VN3205N3-G")
VN3205N3-G Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 50V 1.2A TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
на замовлення 1271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 111.22 грн |
| 25+ | 88.63 грн |
| 100+ | 81.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VN3205N3-G Microchip Technology
Description: MICROCHIP - VN3205N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 1.2 A, 0.3 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції VN3205N3-G за ціною від 78.11 грн до 158.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
VN3205N3-G | Виробник : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - VN3205N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 1.2 A, 0.3 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 99 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
VN3205N3-G | Виробник : Microchip Technology |
MOSFET 50V 0.3Ohm |
на замовлення 6984 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
VN3205N3-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 1.2A; Idm: 8A; 1W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 1.2A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 1W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
VN3205N3-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 1.2A; Idm: 8A; 1W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 1.2A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 1W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| VN3205N3G |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
VN3205N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 50V 1.2A 3-Pin TO-92 Bag |
товар відсутній |