Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > VN3205N3-G
VN3205N3-G

VN3205N3-G Microchip Technology

VN3205-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005995A.pdf
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 50V 1.2A TO92-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-92-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bag
на замовлення 834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+113.93 грн
25+90.81 грн
100+83.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис VN3205N3-G Microchip Technology

Description: MOSFET N-CH 50V 1.2A TO92-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: TO-92-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10mA, Power Dissipation (Max): 1W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 3A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Tj), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Packaging: Bag.

Інші пропозиції VN3205N3-G за ціною від 113.95 грн до 118.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
VN3205N3-G VN3205N3-G MICROCHIP TECHNOLOGY VN3205-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005995A.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 1.2A; Idm: 8A; 1W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+113.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
VN3205N3-G VN3205N3-G Microchip Technology VN3205_N_Channel_Enhancement_Mode_Vertical_DMOS_FET_Data_Sheet_20005995A.pdf MOSFETs 50V 0.3Ohm
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+118.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
VN3205N3G
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VN3205N3-G VN3205-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005995A.pdf
VN3205N3-G
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 1.2A; Idm: 8A; 1W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+113.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
VN3205N3-G VN3205_N_Channel_Enhancement_Mode_Vertical_DMOS_FET_Data_Sheet_20005995A.pdf
VN3205N3-G
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs 50V 0.3Ohm
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+118.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
VN3205N3G
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.