
VN3205N3-G Microchip Technology
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 67.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VN3205N3-G Microchip Technology
Description: MICROCHIP - VN3205N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 1.2 A, 0.3 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції VN3205N3-G за ціною від 83.61 грн до 139.98 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
VN3205N3-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 2025 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
VN3205N3-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10mA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V |
на замовлення 1439 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
VN3205N3-G | Виробник : MICROCHIP |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 263 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
VN3205N3-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 1.2A; Idm: 8A; 1W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 1.2A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 1W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement |
на замовлення 59 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
VN3205N3-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 2315 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
VN3205N3-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
![]() |
VN3205N3-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
![]() |
VN3205N3-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 69 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
VN3205N3G |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
![]() |
VN3205N3-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
VN3205N3-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |