Технічний опис VQ2001P VISHAY
Description: MOSFET 4P-CH 30V 0.6A 14DIP, Packaging: Tube, Configuration: 4 P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1A, 12V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA.
Інші пропозиції VQ2001P
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| VQ2001P | Виробник : SIG |
 |
на замовлення 80 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
VQ2001P | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.6A 14-Pin PDIP |
товару немає в наявності |
|
| VQ2001P | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 4P-CH 30V 0.6A 14DIP Packaging: Tube Configuration: 4 P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1A, 12V Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA |
товару немає в наявності |